二极管 - 北京绿能芯创电子科技有限公司

概述

绿能芯创第一代碳化硅二极管主要为SBD二极管，可提供击穿电压为650-3300V、且额定电流为1-40A的规格产品，具有零反向恢复时间、低正向压降、电流稳定性、高抗突波电压能力以及正温度系数。适合各类应用的电源转换器，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)和工业电源。

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认证

阻断电压

额定电流

导通电压

反偏电流

操作温度最小值

操作温度最大值

充电电荷

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状态

样品

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*A： w/i Die saw ,*B: w/o Die saw

评估与参考设计板

单相车载充电器 (OBC) PFC-LLC 平台

这是一款单相车载充电器（OBC）设计参考方案，该方案基于第三代功率半导体（SiC）碳化硅MOSFET(650V/80mohm)、碳化硅二极管650V/10A（SBD JBS）可实现系统高频、高效（＞95%）及高功率密度，满足AEC-Q车规可靠性认证。采用交错BOOST PFC+LLC拓扑架构，交错开关机软开关设计，减小损耗同时可以有效的改善系统EMC环境。该方案同时也可应用与高端服务器电源、通讯电源、电池充电、航空航天等行业

概述

绿能芯创第一代碳化硅二极管主要为SBD二极管，可提供击穿电压为650-3300V、且额定电流为1-40A的规格产品，具有零反向恢复时间、低正向压降、电流稳定性、高抗突波电压能力以及正温度系数。适合各类应用的电源转换器，包括太阳能逆变器、电动汽车(EV)和工业电源。
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评估与参考设计版

单相车载充电器 (OBC) PFC-LLC 平台

这是一款单相车载充电器（OBC）设计参考方案，该方案基于第三代功率半导体（SiC）碳化硅MOSFET(650V/80mohm)、碳化硅二极管650V/10A（SBD JBS）可实现系统高频、高效（＞95%）及高功率密度，满足AEC-Q车规可靠性认证。采用交错BOOST PFC+LLC拓扑架构，交错开关机软开关设计，减小损耗同时可以有效的改善系统EMC环境。该方案同时也可应用与高端服务器电源、通讯电源、电池充电、航空航天等行业

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